UV-Lithographie

Die UV-Lithographie ist eine etablierte Methode, um 2-dimensionale Strukturen mit einer sehr hohen Auflösung zu erzeugen.

CeSMA nutzt die I-Line-Lithographie in einer Reinraumumgebung, um Hybridpolymere zu strukturieren, die im CeSMA entwickelt wurden. Die Materialien verhalten sich photochemisch wie ein Negativresistmaterial und werden als funktionaler Fotoresist verwendet. Es wurden auch Hybridpolymere entwickelt, die sich als Positiv-tone Resist verhalten. Zudem können anorganisch-organische Hybridpolymere als Opfer-Fotoresist eingesetzt werden, wenn spezielle (Trocken-)Ätzeigenschaften gefordert sind. Die Ätzeigenschaften können durch Verhältnis und Auswahl der anorganischen und organischen Anteile in den Materialien eingestellt werden.

CeSMA prozessiert diese Materialien auf Substraten bis 6". Der Prozess kann sauerstofffrei durchgeführt werden, um gegebenenfalls Inhibierungsreaktionen zu vermeiden.

Neben Hybridpolymeren können alle Arten von kommerziellen Photoresistmaterialien strukturiert werden. CeSMA nutzt dieses Verfahren auch für die Lift-off-Technik, mit der gesputterte Metalle strukturiert werden.